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关于内存时序问题

05月19日 编辑 39baobao.com

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这几个值都是内存的延迟时间,都是越小越好,CL值会对其他值产生影响,cl值设小了,其他值可能就跟不上,反而要调大,要不了内存可能不能工作。你看不懂建议你不要调了,性能差别非常小!长的时序对超频有帮助!

要懂这些知识,可自己看看微机原理,不是一两句话说得清的!

内存时序

一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点。

在一些技术文章里说明内存设置时序参数时,一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”.

加了个20,表示明确了Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟的时间是20个时钟。

内存时序问题

时序中的参数标示的都是各种“延迟”参数,具体定义你可以搜索出来

总的来说就是越低越好

内存的实际当前延迟设置主要是由主板决定的,也就是说主板设定什么,内存执行什么。

SPD信息只能帮助而不是决定主板对参数的设定。

所以你的时序与SPD不一致情况很正常

此外,你有三根内存,很可能不同内存之间SPD时序信息不同(非常可能,你的内存容量差距太大),甚至有的杂牌内存无SPD信息,主板需要在内存SPD信息中选择最保守时序以保证系统的稳定性。

延迟的单位是时钟周期(比如你的内存时钟频率是133Mhz),那么延迟3133的意义就是延迟3* 1/133M 秒;而2100下,延迟是2* 1/100M 秒

频率越高,周期越短,同时工作频率高,干扰大,响应速度要求高,延迟往往不得不拉高以保证稳定。

内存时序

1,内存的时序理论上是越低越好,但是前提是保证能够稳定的运行!

2,双通道是否支持要看主板芯片组(比如865PE 875 915以及NF2U KT880等)或者是CPU是否支持(比如939的A64等)

描述内存条性能的主要技术指标是:

1.速度

内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标,时间越短,速度就越快。普通内存速度只能达到70ns~80ns,EDO内存速度可达到60ns,而SDRAM内存速度则已达到7ns。

注意:内存条的生产厂家非常多,目前还没有形成一个统一的标注规范,所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来,但可了解其速度如何,如-70或-60等数字,就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。

2.容量

内存条容量大小有多种规格,早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量,72线的EDO内存则多为4M、8M、16M,而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量,甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。

3.奇偶校验

为检验存取数据是否准确无误,内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位,并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过,而在实际使用中有无奇偶校验位,对系统性能并没有什么影响,所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。

注:计算机是以二进制进行计数的,表现为0和1,当机器向内存写入数据时,实际上就是存入代码01,奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计,并将统计的结果保存在奇偶校验位中,当计算机提取内存的数据时,奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致,从而确保了内存数据的正确性。

4.内存的电压

FPM内存和EDO内存均使用5V电压,而SDRAM则使用3.3V电压,在使用中注意主板上的跳线不能设错。

以下为关联文档:

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