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【结构设计师】

偏心受压构件的破坏状态与偏心距的大小有关，也与截面的配筋状况有关。

【1.小偏心破坏模式】

当偏心距较小时，可能会形成全截面受压，并会在一侧出现较大的压应力状态，此时的破坏表现为混凝土被压碎的破坏形式。

当偏心超出截面核心的范围，但仍然比较小（e<0.3h0）时，虽然截面一侧会出现拉力，但相对另一侧的压力来讲，拉力仍然比较小，破坏仍然是以受压区的混凝土被压碎为特征。

偏心逐渐增加，凝土受拉区的拉力会逐渐增大，并会致使该区域混凝土开裂，此时拉力由该区域所配e799bee5baa6e79fa5e98193e59b9ee7ad9431333363393133置的钢筋来承担。如果在受拉区配有较多的钢筋，在较大的弯矩作用下，就会出现受拉钢筋不能屈服但受压区的混凝土却被压碎的截面破坏特征。这种破坏状况虽然偏心较大，但依然以受压区混凝土被压碎为破坏特征的，可以称之为相对的小偏心破坏模式。

【2.大偏心破坏模式】

对于相对小偏心的破坏形式，如果在受拉区配置有适当的钢筋，就会使得截面出现受拉区的钢筋可以屈服，同时受压区的混凝土压碎而破坏的特征，这种以钢筋屈服为特征的破坏模式称为大偏心破坏模式。

因此，从这一系列状态可以总结出偏心受压构件的破坏特征：

截面内没有受拉区，或受拉钢筋不出现受拉屈服，仅存在混凝土受压为破坏特征的构件，称为小 偏心破坏。小偏心受压构件不仅是偏心距较小的构件，当偏心距较大时也会由于配筋不当——受拉区配置的钢筋较多，导致该类破坏。

然而，如果受拉区的钢筋受拉屈服，同时受压区的混凝土被压碎，以此为破坏特征的偏压构件，称为大偏心破坏构件——大偏心构件的偏心距较大，且配筋适当，以钢筋屈服为破坏特征。破坏时截面ξ=x/h0≤ξb，破坏是延性的。

偏压电路的偏压怎么理解

偏压指的是整体回路中的某个点，测量它相对某个基准点的电压（是整体回路电压的1/n）。

偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间，集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn应该反偏。

扩展资料：

简介

运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器， 偏置电流（ bias current ）就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流。这个电流保证放大器工作在线性范围， 为放大器提供直流工作点。

因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围，而且都是直接耦合的，不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源。 所以都设计成基极开路的， 由外电路提供电流。

因为第一级偏置电流的数值都很小，uA 到 nA 数量级， 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了。而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大，使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度。或者不能提供足够的偏置电流。

使放大器不能稳定的工作在线性范围。如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻，可以考虑用 J-FET 输入的运放。因为 J-FET 是电压控制器件， 其输入偏置电流参数是指输入PN 结的反向漏电流，数值应在 pA 数量级。同样是电压控制的还有 MOSFET 器件，可以提供更小的输入漏电流.

另外一个有关的运放参数是输入失调电流 offset current，是指两个差分输入端偏置电流的误差， 在设计电路中也应考虑。

p=ui=Cu(du/dt),i=(dq/dt)=c*(du/dt)中的d表示微分，du/dt是表示电压u对时t的微分，可以理解为时间“ 微小”变化时，电压的“微小”的变化量。由于流过电容器的电流与其两端的电压有关。且电容器充放电时，其两端的电压是不断变化的。

所以，流过电容器的电流等于单位时间（微小）内电容器两端累积的电荷q的变化量，表示为i=(dq/dt)。而且电容器两端累积的电荷q的变化量又反应了其两端的电压变化量：q=Cdu。因此有：i=(dq/dt)=c*(du/dt)。

参考资料来源：搜狗百科-偏置电压

参考资料来源：搜狗百科-偏压

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