[三种不同感冒的预防]感冒一证，一年四季都有，以头痛、鼻塞、流涕、恶风、发热等为特征。多由于气候突变，冷暖失常，风寒、风湿、风热侵入人体而致病。春季感冒发病率很高，这是由于春季气候变化无常，忽...+阅读
图象分割有三种不同的途径，其一是将各象素划归到相应物体或区域的象素聚类方法即区域法，其二是通过直接确定区域间的边界来实现分割的边界方法，其三是首先检测边缘象素再将边缘象素连接起来构成边界形成分割。早期的图像分割方法可以分为两大类。一类是边界方法，这种方法假设图像分割结果的某个子区域在原来图像中一定会有边缘存在；一类是区域方法，这种方法假设图像分割结果的某个子区域一定会有相同的性质，而不同区域的像素则没有共同的性质。这两种方法都有优点和缺点，有的学者考虑把两者结合起来进行研究。现在，随着计算机处理能力的提高，很多方法不断涌现，如基于彩色分量分割、纹理图像分割。所使用的数学工具和分析手段也是不断的扩展，从时域信号到频域信号处理，小波变换等等。
图像分割主要包括4种技术：并行边界分割技术、串行边界分割技术、并行区域分割技术和串行区域分割技术。下面是分别对每一项做简单的说明。
大话BOSS是什么谁知道速度回答
大话外传：如果你在40级以下地区碰到我这几位朋友，下手一定轻着点！ BOSS 傲来小卫兵 出现区域 傲来 成长方向 攻 捕捉等级需求 0 可携带技能 敏捷、高级必杀、躲闪、高级破甲* 特点 没有携带等级要求，技能组合非常平均 BOSS 高丽密探 出现区域 大唐东 成长方向 法 捕捉等级需求 10 可携带技能 三昧真火、高级法术暴击、腥风血雨*、净化 特点 第一个拥有群体伤害法术的召唤兽，单体伤害法术附带回复效果，非常实用 BOSS 东瀛间谍 出现区域 大唐东 成长方向 敏攻 捕捉等级需求 10 可携带技能 高级隐身*、必杀、专注、残忍 特点 拥有高级隐身，能较好的保护自己，拥有3个不错的直附技能，缺点是无主动技能配合 BOSS 剑豪 出现区域 大唐南 成长方向 攻 捕捉等级需求 15 可携带技能 高级必杀、致死*、眩晕、反击 特点 致死和眩晕在对战中作用都很强大，高级必杀保证爆发力 BOSS 波斯女刀客 出现区域 阳关 成长方向 法 捕捉等级需求 20 可携带技能 风卷残云、风怒*、修行、法爆 特点 两个直附技能都是能直接提高法术效果的，单论伤害能力来说，是40级之前法系召唤兽中比较高的 BOSS 蛟龙 出现区域 东海 成长方向 法 捕捉等级需求 25 可携带技能 狂狼袭、水淹*、高级修行、威吓、高级幸运 特点 技能数量多，属性也很平均，相比波斯女刀客生存能力更高 BOSS 龙鬼 出现区域 地府 成长方向 法 捕捉等级需求 30 可携带技能 风卷残云、风怒*、高级感知、陷害 特点 缺少提高法术效果的直附技能，但是陷害是非常有趣的一个对战技能 BOSS 剑魔 出现区域 五指山 成长方向 攻 捕捉等级需求 35 可携带技能 高级残忍、蓄力攻击*、高级挣扎、眩晕、招架 特点 拥有最高伤害系数的两个武技技能，配合高级残忍，往往能打出高伤害数字，养眼啊！ 大话西游3：大话西游3BOSS-杨戬 大话西游3BOSS-白骨夫人 大话西游3BOSS-白骨夫人 大话西游2：食婴鬼的手下 食婴鬼 山贼之灵 晶晶姑娘 三当家 龙王 护山黑熊精 三当家 三十娘 九头精怪 绝地魔. 避水金睛兽 翻天鬼 护园大将 九龙天兵 六耳灵猴 疯牛怪
助溶剂法的方法分类
助熔剂法根据晶体成核及生长的方式不同分为两大类：自发成核法和籽晶生长法。
1、 自发成核法
按照获得过饱和度方法的不同助熔剂法又可分为缓冷法、反应法和蒸发法。这些方法中以缓冷法设备最为简单，使用最普遍。
缓冷法是在高温下，在晶体材料全部熔融于助熔剂中之后，缓慢地降温冷却，使晶体从饱和熔体中自发成核并逐渐成长的方法。
2、 籽晶生长法
籽晶生长法是在熔体中加入籽晶的晶体生长方法。主要目的是克服自发成核时晶粒过多的缺点，在原料全部熔融于助熔剂中并成为过饱和溶液后，晶体在籽晶上结晶生长。
根据晶体生长的工艺过程不同，籽晶生长法又可分为以下几种方法：
A.籽晶旋转法：由于助熔剂熔融后粘度较大，熔体向籽晶扩散比较困难，而采用籽晶旋转的方法可以起到搅拌作用，使晶体生长较快，且能减少包裹体。此法曾用于生长卡善红宝石。
B.顶部籽晶旋转提拉法：这是助熔剂籽晶旋转法与熔体提拉法相结合的方法。其原理是：原料在坩埚底部高温区熔融于助熔剂中，形成饱和熔融液，在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区，形成过饱和熔液，在籽晶上结晶生长晶体。随着籽晶的不断旋转和提拉，晶体在籽晶上逐渐长大。该方法除具有籽晶旋转法的优点外，还可避免热应力和助熔剂固化加给晶体的应力。另外，晶体生长完毕后，剩余熔体可再加晶体材料和助熔剂继续使用。
C.底部籽晶水冷法：助熔剂挥发性高，顶部籽晶生长难以控制，晶体质量也不好。为了克服这些缺点，采用底部籽晶水冷技术，则能获得良好的晶体。水冷保证了籽晶生长，抑制了熔体表面和坩埚其它部位的成核。这是因为水冷部位才能形成过饱和熔体，从而保证了晶体在籽晶上不断成长。用此法可生长出质量良好的钇铝榴石晶体。
D.坩埚倒转法及倾斜法：这是两种基本原理相同的助熔剂生长晶体的方法。当坩埚缓慢冷却至溶液达过饱和状态时，将坩埚倒转或倾斜，使籽晶浸在过饱和溶液中进行生长，待晶体生长结束后，再将坩埚回复到开始位置，使溶液与晶体分离。
E.移动熔剂区熔法：这是一种采用局部区域熔融生长晶体的方法。籽晶和晶体原料互相连接的熔融区内含有助熔剂，随着熔区的移动（移动样品或移动加热器），晶体不断生长，助熔剂被排挤到尚未熔融的晶体原料一边。只要适当地控制生长速度和必要的生长气氛，用这种方法可以得到均匀的晶体。
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